FF450R12ME4BOSA1
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 675 A 2250 W 底座安装 模块
物料参数
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 675 A |
| 功率 - 最大值: | 2250 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V @ 15V，450A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 3 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 28 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |